Wir beliefern sie gerne mit Saphir-Wafer mit sehr geringen Oberflächenrauigkeiten in allen Orientierungen (C- A- R- M-Plane) bis zu einem Durchmesser von 200mm. Die Züchtungsmethode kann HEM oder Kyropolos sein.
Bei individuellen Wünschen bzw. der Auswahl der für Ihre Anwendung passenden Spezifikationen beraten wir Sie gerne.
Rufen Sie uns gerne an unter +49-(0)8191-478747 oder kontaktieren Sie uns per E-Mail.
Saphirwafer sind monokristalline Substrate aus synthetischem Saphir, einem kristallinen Aluminiumoxid (Al2O3).
Diese Wafer werden durch ein Verfahren namens Verflüssigungszonenzüchtung hergestellt, bei dem Aluminiumoxid in einem Hochtemperaturofen geschmolzen wird und dann unter kontrollierten Bedingungen zu einem einzigen Kristall erstarrt. Saphirwafer zeichnen sich durch ihre hexagonale Kristallstruktur, ihre hohe Härte, chemische Beständigkeit und Transparenz im sichtbaren und infraroten Bereich aus. Sie werden in der Halbleiterindustrie, der Optoelektronik und anderen Hochtechnologieanwendungen als Substrate für die Herstellung von LEDs, optischen Bauelementen und Sensoren eingesetzt.
Bei der Kyropolos-Methode wird Saphir durch Kristallisation aus einer Schmelze gewonnen. Der Prozess beinhaltet das Schmelzen von hochreinem Aluminiumoxid (Al2O3) und das anschließende Kristallisieren des Schmelzgutes, während es langsam abgekühlt wird. Dabei bilden sich große Saphir-Kristalle, die dann in Scheiben geschnitten und poliert werden, um Saphirwafer herzustellen. Die Kyropolos-Methode ermöglicht die Herstellung von Saphirwafern mit hoher Reinheit und Kristallqualität, was sie ideal für Anwendungen macht, die eine gleichmäßige Struktur und hohe Transparenz erfordern, wie z.B. in der Optoelektronik und der LED-Industrie.
HEM (Heat Exchanger Method):
Die HEM-Methode zur Herstellung von Saphirwafern beinhaltet das Kristallisieren von Saphir aus einem flüssigen Aluminiumoxidgemisch, das durch Wärmeübertragung von einem Heizmedium gekühlt wird. Dies führt zur Bildung von Saphir-Kristallen an der Grenzfläche zwischen der Schmelze und dem Kühlmedium. Im Vergleich zur Kyropolos-Methode ermöglicht die HEM-Methode eine schnellere Kristallisation und eine höhere Produktionsrate. Die so hergestellten Saphirwafer können jedoch eine geringere Kristallqualität aufweisen und sind möglicherweise nicht so gleichmäßig wie bei der Kyropolos-Methode.
C-A-R-M steht für die Miller-Indizes der Kristallachsen in der hexagonalen Struktur von Saphir. Die Buchstaben entsprechen den Achsenrichtungen [1-100], [11-20], [1-102] und [1-101]. Die „C-A-R-M Plane“ bezieht sich auf eine bestimmte Kristallebene innerhalb des Saphirkristalls, die durch die Anordnung der Atome entlang dieser Achsen definiert ist. Diese Kristallebene kann für bestimmte Anwendungen in der Halbleiterindustrie, der Optoelektronik und anderen Bereichen wichtig sein, da sie bestimmte Eigenschaften des Saphirwafer beeinflussen kann, wie zum Beispiel die elektrischen, optischen oder mechanischen Eigenschaften.
Saphirwafer dienen als Substrate für die Herstellung von Leuchtdioden (LEDs) und Laserdioden.
Saphirwafer werden in der Mikroelektronik für die Herstellung von Hochfrequenz- und
Hochleistungselektronikbauteilen wie Hochleistungstransistoren und Hochfrequenzschaltkreisen verwendet.
Aufgrund ihrer optischen Eigenschaften werden Saphirwafer für Fenster, Linsen und optische
Komponenten in verschiedenen Anwendungen wie Kameras, Laser- und Sensoranwendungen eingesetzt.
Saphirglas wird häufig als kratzfestes Material für Uhrengläser verwendet.
