Silizium Wafer

Wir bieten Ihnen Silizium-Wafer mit fast jeder Spezifikation von führenden internationalen Wafer-Herstellern. Unsere hochreinen Wafer werden nach dem Czochralski-Verfahren (CZ) oder dem Float-Zone-Verfahren (FZ) gezüchtet.
Mit unseren hoch spezialisierten Veredelungsmöglichkeiten erfüllen wir Ihre individuellen Vorgaben. Auch Kleinmengen können ausgeführt werden.

Wir beraten Sie gerne bei der Auswahl der für Ihre Anwendung passenden Spezifikationen.
Rufen Sie uns gerne an unter +49-(0)8191-478747 oder kontaktieren Sie uns per E-Mail.

Diese Arten von Silizium Wafern können wir Ihnen anbieten

Standardwafer 25,4mm – 300mm

Wir gewährleisten Ihnen aufgrund unserer großen Lagerbestände eine schnelle Verfügbarkeit von 50,8mm bis 300mm Wafern in großen Stückzahlen. Somit können wir Lieferengpässe umgehen und Sie jederzeit zuverlässig mit Standardwafern beliefern.

Spezialanfertigungen

Seit über 20 Jahren haben wir uns auf kundenspezifische Anfertigungen von Silizium Wafern spezialisiert. In Zusammenarbeit mit langjährigen Partnern können wir Ihnen umfangreiche Spezifikationen anbieten.

SEMI International Standards

2“ Std WaferCZ, 50,8mm, 280μm, P/Bor, <100>, 1-30ohmcm, SSP, 1 Flat SEMI
3“ Std WaferCZ, 76,2mm, 380μm, P/Bor, <100>, 1-30ohmcm, SSP, 2 Flat SEMI
4“ Std WaferCZ, 100mm, 525μm, P/Bor oder N/Phos, <100>, 1-30ohmcm, SSP, 2 Flats SEMI
6“ Std WaferCZ, 150mm, 675μm, P/Bor oder N/Phos, <100>, 1-30ohmcm, SSP, 2 Flats SEMI
8“ Std WaferCZ, 200mm, 725μm, P/Bor, <100>, 1-5ohmcm, SSP, Notch SEMI
12“ Std WaferCZ, 300mm, 775μm, P/Bor, <100>, 1-100ohmcm, DSP, Notch SEMI

FZ / CZ Wafer

FZ- (Floating Zone) und CZ- (Czochralski) Wafer repräsentieren unterschiedliche Herstellungsmethoden für Siliziumwafer. FZ-Wafer werden mittels Schmelzens und erneuten Kristallisierens von Silizium hergestellt, während CZ-Wafer durch das langsame Ziehen eines Siliziumkristalls
aus einer Siliziumschmelze gewonnen werden, wodurch definierte Kristallorientierungen und Dotierungsprofile erzielt werden können.

Prime Wafer

Prime Wafer sind neu hergestellte, hochreine Siliziumwafer die für die Produktion von integrierten Schaltkreisen (ICs), Mikroprozessoren, Mikrocontrollern, Speicherchips, elektronischen Bauelementen und anderen hochwertigen Halbleiterprodukten verwendet werden. Sie werden nach SEMI-Standards spezifiziert und zeichnen sich durch hohe Qualität, geringe Defektzahlen und eine präzise Oberflächengüte aus. Einzelne Parameter (Partikel, TTV usw.) können je nach Kundenanforderungen und Schwerpunkt noch bessere und genauere Toleranzen als die SEMI-Standards aufweisen.

Test Wafer

Test Wafer werden speziell für Test- und Entwicklungsaktivitäten hergestellt.
Test Wafer weisen größere Toleranzen in den Materialeigenschaften oder geringfügige Defekte auf, da sie primär für Testzwecke und nicht für die Massenproduktion bestimmt sind.

Reclaim Wafer

Reclaim Wafer sind wiederaufbereitete Wafer, die aus überschüssigen Prime Wafern gewonnen werden. Diese Wafer durchlaufen einen speziellen Prozess zur Entfernung von Defekten und zur Wiederherstellung der Oberflächengüte.

Einsatzgebiete unserer Silizium Wafer

Halbleiterindustrie

Siliziumwafer werden für die Fertigung von verschiedenen integrierten Schaltungen, einschließlich Speicherchips und Logikschaltungen, verwendet. Die Halbleiterindustrie ist grundlegend für die Elektronikproduktion und digitale Technologien.

Optoelektronik und Sensortechnik

Siliziumwafer kommen in der Herstellung von Bildsensoren, optoelektronischen Bauteilen und Sensoren zum Einsatz. Diese Anwendungen sind in Kameras, Beleuchtungstechnik, Fahrzeugen und vielen anderen Bereichen präsent.

Mikroprozessoren und Mikrocontroller

Siliziumwafer bilden die Grundlage für die Herstellung von Mikroprozessoren und Mikrocontrollern, die in Computern, Smartphones und anderen elektronischen Geräten verwendet werden. Diese Einsatzgebiete sind entscheidend für die Funktionalität und Leistung moderner Elektronik.

MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)

Siliziumwafer dienen als Plattform für die Herstellung von MEMS, die in Sensoren, Aktuatoren und kleinen mechanischen Systemen eingesetzt werden. MEMS finden Anwendung in Bereichen wie Medizintechnik, Luft- und Raumfahrt sowie Unterhaltungselektronik.

Typische Silizium Wafer Spezifikationen:

Diameter:
25,4mm
50,8mm
76,2mm
100mm
125mm
150mm
200mm
300mm

Grade:
Prime
Test
Reclaim

Type/Dopant:
P/Bor
N/Phos
N/Sb
N/As
Undoped
Intrinsic

TTV:
< 5μm
< 1μm (ultra flat)

Bow/Warp:
< 30μm

Flat/Notch:
SEMI Std.
No Flat
2 Flat
2 Flats
Jeida Flat
Notch

Surface/ Finish:
SSP
DSP
As cut
Lapped
Etched

Thickness:
50 – 8,000μm

Growth:
CZ (Czochralski)
FZ (Floating Zone)

Orientation:
<100>
<111>
<110>

Resistivity:
0,001 – 50,000ohmcm

Lasermark:
Frontside
Backside

Particles:
< 10 @ 0,3 μm
< 20 @ 0,2 μm
< 50 @ 0,055 μm (Ultra Clean)

Typische Silizium Wafer Spezifikationen:

Diameter:
25,4mm
50,8mm
76,2mm
100mm
125mm
150mm
200mm
300mm

Grade:
Prime
Test
Reclaim

Type/Dopant:
P/Bor
N/Phos
N/Sb
N/As
Undoped
Intrinsic

TTV:
< 5μm
< 1μm (ultra flat)

Bow/Warp:
< 30μm

Surface/ Finish:
SSP
DSP
As cut
Lapped
Etched

Flat/Notch:
SEMI Std.
No Flat
2 Flat
2 Flats
Jeida Flat
Notch

Thickness:
50 – 8,000μm

Growth:
CZ (Czochralski)
FZ (Floating Zone)

Orientation:
<100>
<111>
<110>

Resistivity:
0,001 – 50,000ohmcm

Lasermark:
Frontside
Backside

Particles:
< 10 @ 0,3 μm
< 20 @ 0,2 μm
< 50 @ 0,055 μm (Ultra Clean)