SOI Wafer

© Siltronic AG 2010

Silizium auf Isolator

Dickschicht Fusions-Bonds

Alle Durchmesser:von 3” bis 200mm:
ein- oder beidseitig poliert
CZ und FZ
Leiterschicht: Planlage <1µm <2µm <5µm
Thermisch oxidierter Layer:von 0,2µm bis 2,4µm
Behandlung:Planlage<1µm
alle Typen, Orientierungen, Res.
Stärken von 300µm bis 2000µm
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